Procédé pour intégrer un dépôt de ruthénium à basse température sélectif dans une métallisation de cuivre d'un dispositif à semi-conducteur

L'invention porte sur un procede pour integrer un depot metallique Ru selectif a basse temperature dans la fabrication de dispositifs a semi-conducteur afin d'ameliorer l'electromigration et la migration de contrainte dans du metal Cu massif. Le procede comprend la fourniture d'un substrat a motif contenant un renfoncement dans une couche dielectrique (304), le renfoncement etant au moins substantiellement remplie de metal Cu massif planarise (322), le traitement thermique du metal Cu massif et de la couche dielectrique en la presence de H2, N2 ou NH3, ou une combinaison de ceux-ci, et le depot selectif d'un film de metal Ru (324) sur le metal Cu massif planarise traite thermiquement.