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n‐GaAs層の表面にInAs量子ドットを堆積したn‐GaAsをベースとした金属‐絶縁体‐半導体構造物の物性
n‐GaAs層の表面にInAs量子ドットを堆積したn‐GaAsをベースとした金属‐絶縁体‐半導体構造物の物性
2016
O V Tikhov
O V Gorshkov
O V Koryazhkina
O V Kasatkin
O. V. Antonov
O. V. Vihrova
O. V. Morozov
Keywords:
Chemical physics
Atomic physics
Chemistry
Nuclear physics
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