Structure et procede de formation d'un transistor a tranchees presentant des elements autoalignes

L'invention concerne, dans un mode de realisation, la formation d'un dispositif semi-conducteur. Une zone de surface exposee d'une couche de silicium de laquelle peut etre elimine le silicium est definie. Une partie de la couche de silicium est eliminee de maniere a former une section intermediaire d'une tranchee s'etendant dans la couche de silicium a partir de la surface exposee de la couche de silicium. Des zones de surface exposees supplementaires de la couche de silicium de laquelle peut etre retiree le silicium sont definies. Les parties supplementaires de la couche de silicium sont eliminees pour former les sections exterieures de la tranchee de maniere que les sections exterieures de la tranchee s'etendent dans la couche de silicium a partir des zones de surface exposees supplementaires de la couche de silicium. La section intermediaire de la tranchee s'etend plus profondement dans la couche de silicium que les sections exterieures de la tranchee.