DMOS cell with Schottky diode

DMOS-Zelle aus DMOS-Transistor (11) und Schottky-Diode (12), bei der die Schottky-Diode (12) parallel zur Source-Drain-Strecke des DMOS-Transistors (11) liegt und die Source-Zone (6) des DMOS-Transistors uber ein Kontaktloch (8) in einer Gate-Isolierschicht (9) durch eine Source-Kontaktschicht (7, 14) kontaktiert ist, dadurch gekennzeichnet, das die Schottky-Diode (12) im Kontaktloch (8) zwischen der Source-Kontaktschicht (7, 14) und der Drain-Zone (1, 2) des DMOS-Transistors (11) ausgebildet ist.