A method for Herstelllen a connecting area on a side wall of a semiconductor body

Ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlussgebiets an einer Seitenwand (70) eines Halbleiterkorpers (10), aufweisend folgende Merkmale: – Bereitstellen eines Halbleiterkorpers (10), – Erzeugen von mindestens einem ersten Graben (12) an einer ersten Oberflache (11) des Halbleiterkorpers (10) in den Halbleiterkorper (10) hinein, wobei der erste Graben (12) derart zweiteilig erzeugt wird, dass ein erster Grabenteil (12a) schmaler als ein zweiter Grabenteil (12b) ist und der erste Grabenteil (12a) tiefer in den Halbleiterkorper (10) hinein erzeugt wird als der zweite Grabenteil (12b). – Ausbilden einer Isolationsschicht (15) an den Seitenwanden (13a, 13b) und am Boden (14) des ersten Grabens (12), wobei der erste Graben (12) nur teilweise verfullt wird, – Verfullen des unverfullten Teils des ersten Grabens (12) mit einem elektrisch leitfahigen Material (16), – Erzeugen eines Trenngrabens (17) entlang des ersten Grabens (12) derart, dass eine Seitenwand des Trenngrabens (17) an den ersten Graben (12) unmittelbar angrenzt; – Zumindest teilweises Entfernen des an den Trenngraben (17) angrenzenden Teils der Isolationsschicht (15), so dass zumindest ein Teil des elektrisch leitfahigen Materials (16) in dem ersten Graben (12) frei liegt.