采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌

使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在（0001）蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射（RHEED）对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和X射线衍射（XRD）法对GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量进行分析.实验结果表明：采用该技术生长的Ga极性GaN外延薄膜中的晶体表面残留Ga滴密度大大降低,GaN外延薄膜的表面形貌得到改善,其均方根粗糙度（RMS）由3nm降低为0.6nm,同时XRD双晶摇摆曲线测试的结果表明,GaN外延层的晶格质量也得到改善.