退火工艺对LaTiON和HfLaON存储层金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅存储器特性的影响

采用反应溅射法,分别制备以LaTiON, HfLaON为存储层的金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅电容存储器,研究了淀积后退火气氛（N2, NH3）对其存储性能的影响.分析测试表明,退火前LaTiON样品比HfLaON样品具有更好的电荷保持特性,但后者具有更大的存储窗口（编程/擦除电压为＋/？12 V时4.8 V）;对于退火样品,由于NH3的氮化作用, NH3退火样品比N2退火样品表现出更快的编程/擦除速度、更好的电荷保持特性和疲劳特性.当编程/擦除电压为＋/？12 V时, NH3退火HfLaON样品的存储窗口为3.8 V,且比NH3退火LaTiON样品具有更好的电荷保持特性和疲劳特性.