窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体装置

(57)【要約】 【課題】 低結晶欠陥密度の高品質の単結晶の窒化物系 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させることができる窒 化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法、この方法 を用いて製造される半導体装置およびその製造方法を提 供する。 【解決手段】 基板上に成長マスクを形成し、この成長 マスクを用いて基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半 導体を選択成長させる場合に、少なくとも最表面が窒化 物からなる多層膜を成長マスクとして用いる。成長マス クは、例えば、酸化膜とその上の窒化膜とからなるも の、金属膜とその上の窒化膜とからなるもの、酸化膜と その上の窒化物および酸化物からなる膜とその上の窒化 膜とからなるもの、第１の金属膜とその上の第２の金属 膜とその上の窒化膜とからなるものなどである。酸化膜 はＳｉＯ 2 膜、窒化膜はＴｉＮ膜やＳｉＮ膜、窒化物お よび酸化物からなる膜はＳｉＮＯ膜、金属膜はＴｉ膜や Ｐｔ膜などである。