AlGaN插入层对InAlN/AlGaN/GaN异质结散射机制的影响

InAlN/AlN/GaN异质结中，名义上的AlN插入层实为Ga含量很高的AlGaN层，Al，Ga摩尔百分比决定了电子波函数与隧穿几率，因此影响与InAlN/AlGaN势垒层有关的散射机制.本文通过求解薛定谔-泊松方程与输运方程，研究了AlGaN层Al摩尔百分含量对InAlN组分不均匀导致的子带能级波动散射、导带波动散射以及合金无序散射三种散射机制的影响.结果显示：当Al含量由0增大到1，子带能级波动散射强度与合金无序散射强度先增大后减小，导带波动散射强度单调减小；在Al含量为0.1附近的小组分范围内，合金无序散射是限制迁移率的主要散射机制，该组分范围之外，子带能级波动散射是限制迁移率的主要散射机制；当Al摩尔百分含量超过0.52，三种散射机制共同限制的迁移率超过无插入层结构的迁移率，AlGaN层显示出对迁移率的提升作用.