Diodes schottky a jonction en carbure de silicium avec injection supprimee des porteurs minoritaires

L'invention porte sur des structures integrales qui bloquent la conduction de courant de la diode PiN integree dans une structure a jonction de Schottky. Une diode Schottky peut etre incorporee en serie avec la diode PiN, la diode Schottky etant dans le sens oppose de celui de la diode PiN. Une resistance serie et/ou une couche isolante peuvent etre menagees entre la diode PiN et un contact Schottky. L'invention porte sur les diodes Schottky en carbure de silicium et sur leurs procedes de fabrication, ces diodes comprenant une region a jonction en carbure de silicium menagee a l'interieur d'une region de derive de la diode. La region de jonction comprend une premiere region de carbure de silicium ayant une premiere concentration en dopage dans la region de derive de la diode et une seconde region de carbure de silicium dans le region de derive menagee entre la premiere region du carbure de silicium et un contact Schottky de la diode. La seconde region est en contact avec la premiere region de carbure de silicium et le contact Schottky. La seconde region de carbure de silicium a une seconde concentration en dopage inferieure a la premiere.