Estudio de la eficiencia cuántica de un detector de microbandas de silicio mediante la modelación matemática

RESUMEN Se presentan los resultados en la aplicacion de la simulacion matematica para el estudio de la eficiencia cuantica de un detector de silicio cristalino del tipo microbandas, destinado a imagenologia medica y al desarrollo de otras aplicaciones como la autenticacion y fechado de obras de arte. Se evaluo el efecto de la geometria fuente-detector, de la energia de los rayos X y del grosor de la zona muerta del detector en la eficiencia cuantica de este dispositivo. Los resultados de la simulacion se compararon con el pronostico teorico y con los datos experimentales disponibles, verificandose una adecuada correspondencia. Se concluyo que la configuracion frontal es mas eficiente para energias incidentes menores a los 17 keV, y que la configuracion de borde es la recomendada para aplicaciones que requieran la deteccion de energias superiores a este valor. Tambien se determino que la disminucion de la zona muerta del detector conduce a un considerable aumento de la eficiencia para cualquier valor de energia en el intervalo de 5 a 100 keV.(AU) ABSTRACT The paper shows the results from the application of mathematical simulation to study the quantum efficiency of a microstrips crystalline silicon detector, intended for medical imaging and the development of other applications such as authentication and dating of cultural heritage. The effects on the quantum efficiency of some parameters of the system, such as the detector-source geometry, X rays energy and detector dead zone thickness, were evaluated. The simulation results were compared with the theoretical prediction and experimental available data, resulting in a proper correspondence. It was concluded that the use of frontal configuration for incident energies lower than 17 keV is more efficient, however the use of the edge-on configuration for applications requiring the detection of energy above this value is recommended. It was also found that the reduction of the detector dead zone led to a considerable increase in quantum efficiency for any energy value in the interval from 5 to 100 keV.(AU)