Si₂H6와 H₂ 가스를 이용한 LPCVD내에서의 선택적 Si 에피텍시 성장에 미치는 산소의 영향

Si₂H_6와 H₂ 가스를 이용한 LPCVD내에서의 실리콘의 선택적 에피텍시 성장을 1000℃ 이하의 초청정 분위기하의 저온에서 수행하였다. HCl 첨가없이 초청정 공정으로 인한 양질의 에피텍시 Si층이 균일하게 얻어 졌으며, SiO₂ 위에 증착된 실리콘의 잠복기를 발견할 수 있었다. 단결정위의 에피텍시 층은 산화물 층위 보다 더 두껍게 증착되었다. 산소첨가로 잠복기가 20~30초간 증가하였다. 증착된 박막의 절단면과 표면 형상은 SEM으로 관찰되었으며, XRD를 통해 막질을 평가하였다.