Verfahren zur herstellung eines nitridverbindungshalbleiter-bauelements

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Nitridverbindungshalbleiter-Bauelementsangegeben, mit den Schritten: - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1) mit einer Siliziumoberflache, - Aufwachsen einer Pufferschicht (2), die A1 x In y Ga 1-x-y N mit 0≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 aufweist, auf die Siliziumoberflache, - Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf die Pufferschicht (2), wobei - die Pufferschicht (2) eine derart variierende Materialzusammensetzung aufweist, dass eine laterale Gitterkonstante der Pufferschicht (2) in einem ersten Bereich (2a) schrittweise oder kontinuierlich zunimmt und in einem zweiten Bereich (2b), der dem ersten Bereich in Wachstumsrichtung nachfolgt, schrittweise oder kontinuierlich abnimmt, und - die Pufferschicht (2) an einer Grenzflache zur Halbleiterschichtenfolge (3) eine kleinere laterale Gitterkonstante aufweist als eine an die Pufferschicht (2) angrenzende Halbleiterschicht (4) der Halbleiterschichtenfolge (3).