Photoluminescence of a ZnO/GaN Heterostructure Interface

ZnO/GaN heterostructure 的生长用搏动的激光免职被执行。由从 ZnO/GaN 结构蚀刻 ZnO 层，光致发光(PL ) 联系轧了层表演施主领受人光轧了移动到大约 3.27 eV，它与已经报导的 n-ZnO/p-GaN 的 electroluminescence (EL ) 一致。那氧扩散进的 XPS 表演从表面轧了水晶格子到 20nm 深度。在不同温度和刺激密度的 PL 系列证明氧起潜在的变化的作用。在这些 LEDs 的接口的联系 PL 结果能是有用的为 ZnO/GaN p-n 连接理解 EL 系列的机制。