Formation sur paroi laterale pour reseau de points memoire polymeriques haute densite
2004
L'invention concerne des systemes et des procedes qui permettent d'augmenter le nombre de cellules memoire associees a une caracteristique lithographique. Ces systemes comportent des points memoire formes sur les parois laterales de la caracteristique lithographique par divers procedes de depot et de gravure. Les cellules memoire de paroi laterale (115) peuvent presenter une ligne binaire (610) de tranche (806) comme premiere electrode (104, 1502), et fonctionner avec une seconde electrode formee (110, 1504) pour activer une partie d'une matiere organique produite entre elles.
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