Semiconductor device and its mfg. method

一种半导体器件，包括：第一Cu互连层，形成在其上的层间绝缘膜，形成在层间绝缘膜中以便露出部分第一Cu互连层的通路孔，和形成在通路孔内并与第一Cu互连层连接的Cu通路124。 在Cu通路的侧表面上层叠TaN阻挡膜和Ta阻挡膜，仅Ta阻挡膜形成在其底表面下。 TaN阻挡膜和层间绝缘膜之间的粘结强度强，Ta阻挡膜和铜之间的粘结强度强。 两个阻挡膜都防止了由于Cu扩散而导致的Cu污染，同时，增强了Cu和层间绝缘膜在Cu通路侧表面处的粘结强度，以便防止铜通路脱开。 此外，在Cu通路的底表面处，阻挡膜增强了第一Cu互连层和Cu通路之间的粘结强度，抑制了Cu原子在Cu通路和第一Cu互连层之间的界面处的移动，从而增强了抗电子迁移和热应力的能力，减小了其间的接触电阻。