金属夹层对Ge／GaAs（100）能带偏离影响的研究

用光电发射的方法研究了碱金属Ｎａ和碱土金属Ｍｇ对Ｇｅ．ＧａＡｓ（１００）异质结构形成及能带偏离的影响。实验结果表明，Ｎａ和Ｍｇ的薄夹层可使Ｇｅ／ＧａＡｓ（１００）的价带偏离分别增加０．１９和０．１８ｅＶ。通过Ｎａ，Ｍｇ和Ａｌ夹层的对比研究，可认为金属夹层对异质结能带偏离的影响与金属的电负性及其与衬底的相互作用有关。