Инжекционно-полевой фотодиод

Предложен фотодиод на основе p AlInGaAs– n GaAs– m -переходов. Высокая фоточувствительность в нем достигается в режиме прямого смещения p–n -гетероперехода и запирания n–m перехода. В этом режиме освещение структуры из собственной или примесной области спектра приводит к уменьшению сопротивления базовой области за счет генерированных фотоносителей, что приводит к последующему увеличению инжекционного тока через прямо смещаемый р–n -переход. При этом с увеличением приложенного напряжения поле на запираемом n–m -переходе возрастает. Такие фотодиоды могут использоваться для регистрации оптического и лазерного излучений в диапазоне 0,8…1,6 мкм