Dispositifs a effet de champ de grille a tranchee

La presente invention concerne une technique de reduction de la tension entre les electrodes du dispositif a semi-conducteur par augmentation de la concentration de porteurs minoritaires dans la zone profonde (26) et la zone intermediaire (28). Un dispositif a semi-conducteur selon l'invention comprend une electrode, une zone superieure (36) d'un deuxieme type de conductivite et connecte a l'electrode, une zone profonde du deuxieme type de conductivite, et une zone intermediaire d'un premier type de conductivite connecte a l'electrode. Une partie de la zone intermediaire isole la zone superieure de la zone profonde. Le dispositif a semi-conducteur comprend egalement une electrode de grille (32) faisant face a la partie de la zone intermediaire par la couche d'isolation. La partie faisant face a l'electrode de grille isole la zone superieure de la zone inferieure. Le dispositif a semi-conducteur selon l'invention comprend egalement une zone barriere (40) qui est formee dans la zone intermediaire et/ou la zone superieure.