Trou d'interconnexion coaxial traversant le silicium

Structure de trou d'interconnexion traversant le silicium (Through-Silicon Via/TSV) formant une interconnexion coaxiale ou triaxiale unique a l'interieur du substrat 40. La structure TSV est equipee d'au moins deux conducteurs electriques independants 50, 60 isoles l'un de l'autre et du substrat. Ces conducteurs electriques peuvent etre raccordes a des tensions diverses ou a la terre, ce qui permet d'utiliser la structure TSV en tant que dispositif coaxial ou triaxial. Plusieurs couches utilisant divers materiaux isolants peuvent etre utilisees comme isolant, ces couches etant choisies en fonction de leurs proprietes dielectriques, de leurs proprietes de remplissage, de leur pouvoir d'adherence interfaciale, de la correspondance CTE, etc. La structure TSV permet d'eviter les defauts dans la couche isolante exterieure qui peuvent entrainer des fuites. Est egalement decrit un procede de fabrication d'une telle structure TSV.