Nghiên cứu, chế tạo cảm biến từ dựa trên hiệu ứng hall phẳng (PHE)

Hệ cac cảm biến đo từ trường dạng chữ thập va dạng cầu Wheatstone dựa tren hiệu ứng Hall phẳng (PHE), cấu truc với mang mỏng đơn lớp Ni80Fe20 đa được chung toi nghien cứu va chế tạo dựa tren thiết bị phun xạ sputtering ATC-2000FC. Cac nghien cứu theo hướng tối ưu hoa cấu truc, hinh dạng cảm biến với mục đich tăng cường độ nhạy theo từ trường, bao gồm cảm biến co cac kich thước: 3×1mm, 5×1mm, 10×1mm, 10×0,5mm, co độ day lớp mang mỏng từ tinh khac nhau 5, 10, 20 nm. Kết quả nghien cứu cho thấy, độ nhạy của cảm biến phụ thuộc mạnh vao tinh dị hướng hinh dạng va bề day của lớp NiFe. Tinh dị hướng hinh dạng cang lớn, bề day lớp mang NiFe cang mỏng thi độ nhạy cảm biến cang cao. Độ nhạy lớn nhất đạt được tren cảm biến chữ thập co kich thước 10×0,5mm, co bề day lớp NiFe 5 nm co gia trị 30 µV/Oe, tại dong cấp 3 mA, tương đương với độ nhạy 10 mΩ/Oe. Với qui trinh cong nghệ chế tạo đơn giản, cấu truc mang đơn lớp nhưng độ nhạy của cảm biến co thể so sanh được với cac cảm biến co cung loại, cung chức năng được chế tạo từ mang đa lớp rất phức tạp như cảm biến cấu truc van – spin (VS), cảm biến từ điện trở xuyen hầm (TMR) đa cong bố.