MgO对K 2 O-Al 2 O 3 -SiO 2 系陶瓷微波介电性能的影响

采用传统固相反应法制备添加不同质量分数(0~4%)MgO的K2O-Al2O3-SiO2体系低介电微波陶瓷，利用SEM、XRD、Agilent4284等测试手段，讨论加入MgO对K2O-Al2O3-SiO2系的相结构、显微组织、烧结温度及介电性能的影响。结果表明：添加MgO能有效降低K2O-Al2O3-SiO2体系的烧结温度，且室温下介电常数低，介电损耗小；1 MHZ下，添加质量分数2%MgO的样品在1 150 ℃烧结后介电常数最小，为4.271, 在1 250 ℃烧结后介电损耗最小，为0.004 9。