Couplage phase-amplitude et taux d’émission spontanée dans les lasers à semiconducteur à contre-réaction distribuée ou à cavité composite

Cet article presente un formalisme general permettant de decrire les proprietes de bruit et de modulation des lasers a semiconducteur de structure complexe. Les lasers a contre-reaction distribuee et les lasers multisection accordables de type reflecteur Bragg distribue sont examines a titre d’exemple. Le taux d’emission spontanee couplee au mode et le couplage phase-amplitude y sont discutes. Les resultats obtenus montrent en particulier l’influence respective des proprietes du materiau et des proprietes de la structure dont il faudra maitriser les interactions pour developper des composants de tres hautes performances.