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垂直布里奇曼法生长Cd（1-x）ZnxTe晶体的位错分布研究
2008
使用观察位错蚀坑密度方法研究了垂直布里奇曼法生长的Cd1-xZnxTe（CZT）单晶体位错分布规律.实验中选择（110）面几乎平行于径向的晶片,使用EAg-II腐蚀剂对晶片进行腐蚀,观察了晶面上蚀坑的形貌及分布,计算了位错蚀坑密度,得到CZT单晶体位错密度的分布趋势.结合晶体生长工艺,运用完全弛豫弹性应力近似理论讨论了CZT晶体位错密度分布规律.
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