用Re/Al 2 O 3 /Al隧道结的电子隧道测定重掺杂Re膜的超导能隙

用Re/Al 2 O 3 /Al隧道结的电子隧道测定了重掺杂Re膜的超导能隙,△ 0 =(1.04±0.02)meV,2△ 0 /kT c =3.31±0.04。△ 0 值是用电导极大值法确定的。结果表明,杂质使Re膜的T c 与能隙△ 0 增加了许多倍,但是Re仍然属于弱耦合超导体。