바닥 산화막의 전계를 감소시키는 실리콘 카바이드 모스펫 소자 및 그의 제조 방법

본 발명은 바닥 산화막의 전계를 감소시키는 실리콘 카바이드 모스펫 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘 카바이드 모스펫 소자는, 제 1 도전형 SiC 기판, 제 1 도전형 SiC 기판 위에 성장시킨 제 1 도전형 에피(epi)층, 제 1 도전형 에피층 위에 증착된 제 2 도전형 바디(body)층, 제 2 도전형 바디층을 관통하여 제 1 도전형 에피층까지 부분 식각을 통해 형성된 1차 트렌치(trench) 구조, 1차 트렌치 구조의 바닥면에 형성된 트렌치 바닥층, 트렌치 바닥층을 포함하여 1차 트렌치 구조의 내측을 감싸도록 증착되는 게이트 전극(gate electrode), 1차 트렌치 구조를 제외한 제 2 도전형 바디의 상단에 증착되는 소스 전극(source electrode) 및 제 1 도전형 SiC 기판의 하단에 증착되는 드레인 전극(drain electrode)을 포함하되, 트렌치 바닥층은 하이(high) K 물질로 구성되거나 트렌치 바닥층에 2차 트렌치 구조를 형성함으로써 게이트 산화막(gate oxide)의 전계(electric field)를 감소시킨다.