ELABORATION AND STUDY OF METAL OXIDES FOR THEIR USE IN GAS DETECTORS

La presence c 'un element etranger sur la surface d'un materiau semi-conducteur peut se manifester par une adsorption qui peut conduire a une variation de la conduction electronique superficielle. Cette propriete est etroitement liee a la nature et aux conditions de preparation et traitements du materiau. Les materiaux qui ont servi a l'etude sont des couches d'oxyde de zinc ZnO et d'oxyde d'etain SnO 2 . Ils ont ete elabores par pulverisation cathodique et par oxydation thermique a des temperatures respectives de 450°C et 220°C, de couches de Zn et Sn deposees par electrolyse et par evaporation sous vide. L'analyse des echantillons par diffraction de rayons X montre que l'orientation preferentielle des grains est suivant les plans (002) pour les couches de ZnO et depend de la nature du substrat pour l'oxyde d'etain. Les observations par microscopie optique et microscopie electronique a balayage montrent que les grains sont de taille presque homogene et d'un ordre de grandeur de 200 nm. Les adsorptions et desorptions d'oxygene, a differentes temperatures, provoquent des variations importantes de la resistance electrique R des echantillons. Les resultats mettent en evidence des domaines de temperature de plus haute sensibilite a l'oxygene et montrent que les couches recuites sous O 2 ont un comportement plus stable et que les reactions des etats de surface avec oxygene sont multi-energetiques. Le maximum de sensibilite a l'oxygene est obtenu a des temperatures relativement elevees, avoisinantes 200°C. Le gaz a detecter peut etre reducteur de l'oxygene. Le mecanisme de sa capture se traduit par une variation de la resistance electrique significative de sa presence dans le milieu ambiant.