РАССЕИВАЮЩИЕ ВКЛЮЧЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ ПАРАТЕЛЛУРИТА

Методами оптической микроскопии в поляризованном свете исследованы нитевидные рассеивающие включения в кристаллах парателлурита. Определены верхние границы для поперечных размеров включений и их преимущественные направления относительно кристаллографических осей. Сделаны выводы о физической природе включений, связанных с захватом неконтролируемых примесей при выращивании парателлурита методом Чохральского из исходного сырья с массовой концентрацией диоксида теллура не более 99,9 %.