n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究

采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积y相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI／n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V.C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n—Si异质结存在良好的整流特性，由于在CuI／n—Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大，在正向电压、无光照下，导电机理为空间电荷限制电流导电，此时空穴电流主导；在光照下，异质结表现出良好的光电响应，因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。