Iii−v化合物半導体層を成長する方法、エピタキシャルウエハ、および半導体装置
2004
【課題】ガリウム、インジウム、砒素および窒素を含むIII−V化合物半導体の良質な結晶を成長する方法を提供する。 【解決手段】S101において支持基体102を準備する。支持基体102の表面102aはIII−V化合物半導体からなる。支持基体102は成膜装置104内に置かれる。S102においてTMSbといったアンチモンを含む物質を成膜装置104内に供給して、アンチモンを含む雰囲気106を成膜装置104内に形成する。これによって、支持基体102の表面102aにはアンチモン108が供給される。アンチモンを支持基体102の表面102aに供給した後に、引き続いて、ステップS103において成膜装置104内にIII族原料ガスおよびV族原料ガスを供給して、少なくとも窒素元素および他の元素をV族として含むIII−V化合物半導体層110を表面102a上に成長する。 【選択図】 図1
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