Ｉｉｉ−ｖ化合物半導体層を成長する方法、エピタキシャルウエハ、および半導体装置

【課題】ガリウム、インジウム、砒素および窒素を含むIII−Ｖ化合物半導体の良質な結晶を成長する方法を提供する。 【解決手段】Ｓ１０１において支持基体１０２を準備する。支持基体１０２の表面１０２ａはIII−Ｖ化合物半導体からなる。支持基体１０２は成膜装置１０４内に置かれる。Ｓ１０２においてＴＭＳｂといったアンチモンを含む物質を成膜装置１０４内に供給して、アンチモンを含む雰囲気１０６を成膜装置１０４内に形成する。これによって、支持基体１０２の表面１０２ａにはアンチモン１０８が供給される。アンチモンを支持基体１０２の表面１０２ａに供給した後に、引き続いて、ステップＳ１０３において成膜装置１０４内にIII族原料ガスおよびＶ族原料ガスを供給して、少なくとも窒素元素および他の元素をＶ族として含むIII−Ｖ化合物半導体層１１０を表面１０２ａ上に成長する。 【選択図】 図１