Element laser a semi-conducteurs a faisceaux multiples

La presente invention concerne un element laser a semi-conducteurs a faisceaux multiples (40). Ledit element permet d'obtenir un flux lumineux uniforme a partir de chaque faisceau, pour une facilite de placement. Ledit element est un element laser a semi-conducteurs a faisceaux multiples de nitrure de gallium (GaN) presentant quatre bandes laser (42A, 42B, 42C, 42D) emettant des faisceaux laser de meme longueur d'onde. Chaque bande laser (42A-42D) presente une electrode commune de type p (48) situee sur un mesa (46) forme sur un substrat de saphir (44) et les bandes laser respectives presentent des zones actives respectives (50A, 50B, 50C, 50D). Deux electrodes de type n (52A, 52B) sont fournies sur une couche de contact de GaN de type n (54) sur les cotes opposes du mesa (46) servant d'electrode commune faisant face a l'electrode commune de type p (48). La distance A entre la bande laser (42A) et la bande laser (42D) est superieure a 100 mu m. La distance B1 entre la bande laser (42A) et l'extremite de type laser de l'electrode de type n (52B) est superieure a 150 mu m et la distance B2 entre la bande laser (42D) et l'extremite de type laser de l'electrode de type n (52A) est superieure a 150 mu m