LiCe掺杂对铋层材料K0．5Bi2．5Nb2O9的影响

用传统固相烧结法获得了含A位空位的（KBi）0.5--x（LiCe）x/2□x/2Bi2Nb2O9（其中□为A位[KBi]空位）系列铋层陶瓷，研究了A位LiCe掺杂替代对K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷性能的影响。LiCe掺杂改性明显提高了K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷的压电活性，（KBi）0.44（LiCe）0.03□0.03Bi2Nb2O9陶瓷的压电系数d33、平面机电耦合系数kp和厚度振动机电耦合系数kt分别为31pC／N、5％和22％。