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ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
2007
sousi satou
kiiti kan
zai retu sou
kuniyuki kaku sima
ahemeto paaruhatto
issyou tutui
nobuyuki sugii
kenyuu hattori
hirosi iwai
Keywords:
Computer science
Artificial intelligence
Machine learning
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