ESTUDIO DE LA VARIACIÓN DE LA BRECHA DE ENERGÍA EN FUNCIÓN DE ALTAS TEMPERATURAS (300-750K) DE LOS SEMICONDUCTORES CuInVI 2 (S, Se, Te) ( HIGH TEMPERATURE DEPENDENCE (300-750)k OF THE ENERGY GAP OF SEMICONDUCTORS COMPOUND CuInVi 2 (S, Se, Te) )

Las medidas de absorcion optica en funcion de la temperatura (300 hasta 750)K sobre muestras semiconductoras de brecha de energia directa CuInVI 2 (S, Se y Te) fueron realizadas en el espectro de luz visible. Estos resultados son utilizados para determinar el valor de la brecha fundamental de energia directa Eg en funcion de la temperatura T, por medio de modelos teoricos clasicos. El parametro d Eg /dT obtenido en el rango de altas temperaturas en los semiconductores ternarios CuInS 2, CuInSe 2 y CuInTe 2 son -3.3x10 -4 eVK -1 , -2.1x10 -4 eVK -1 y -5.3x10 -4 eVK -1 respectivamente, estos resultados seran comparados con los reportados hasta los momentos en rangos menores de temperaturas (T<300K). Optical absorption measurements as a function of high temperature (300 to 750)K on semiconductor direct energy gap CuInVI 2 (S, Se and Te) were performed in the visible light spectrum. These results are used to determine the value of the fundamental direct energy gap Eg as a function of temperature T, through classical theoretical models. The d Eg /dT parameter obtained in the range of high temperature in the ternary semiconductor compounds CuInS 2 , CuInSe 2 and CuInTe 2 are -3.3x10 -4 eVK -1 ,-2.1x10 -4 eVK -1 and -5.3x10 -4 eVK -1 respectively, these results will be compared with those reported to date in lower ranges of temperatures (T <300K)