Schutzkreis zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen von Licht emittierenden Dioden und Verfahren zur Herstellung

Schutzkreis zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen fur eine Licht emittierende Diode mit: Einer Licht emittierenden Diode (20) mit einem p-n-Ubergang, wobei die Licht emittierende Diode (20) mit einem Kreissubstrat (23) verbunden ist, das zwei p-Substratbereiche (212a, 222b) und einen n-Substratbereich (232) umfasst; einem ersten Schutzkreis (21), der in dem Kreissubstrat (23) enthalten ist und einen ersten Widerstand (211), einen ersten Kondensator (212) und eine erste Diode (213) aufweist, die in Reihe geschaltet sind, wobei die Reihenschaltung parallel zur Licht emittierenden Diode (20) geschaltet ist und wobei die erste Diode (213) einen p-Knotenpunkt besitzt, der mit einem n-Knotenpunkt der Licht emittierenden Diode (20) verbunden ist, und mit einem zweiten Schutzkreis (22) in dem Kreissubstrat (23), der einen zweiten Widerstand (221), einen zweiten Kondensator (222) und eine zweite Diode (223) aufweist, die in Reihe geschaltet sind, wobei die Reihenschaltung parallel zur Licht emittierenden Diode (20) und zum ersten Schutzkreis...