Processus de conduction par multi-piégeage et saut des électrons dans les semi-conducteurs désordonnés

Ce travail porte sur l'etude des proprietes de photo transport dans les semiconducteurs amorphes. Cette etude est faite par simulation numerique de la photoconductivite en regime transitoire qui repose sur les deux mecanismes de transport: le processus de multi-piegeages ('multiple trapping') des electrons a travers les etats etendus et le processus de saut ('hopping') des porteurs de charges a travers les etats localises de la queue de bande de conduction. Nous avons developpe un modele sous forme d'equations de continuite en regime transitoire et qui reunit les deux mecanismes de transport de 'multiple trapping' et de saut. Ces equations ont ete resolues numeriquement pour calculer la photoconductivite transitoire (PCT). Les resultats obtenus de la PCT pour les basses temperatures dans le silicium amorphe hydrogene a- Si:H sont en excellent accord avec les predictions qui decoulent de l'analyse de Monroe sur la thermalisation des porteurs de charges et le transport dans une distribution des etats localises de forme exponentielle. Nous avons utilise la simulation pour etudier les contributions relatives aux deux processus de conduction par 'multiple trapping' et saut dans la PCT pour differentes densites des etats des semiconducteurs desordonnes.