Thermoelectric Power and Scattering of Carriers in Bi2?xSnxTe3 with Layered Structure

Thermoelectric power, electrical resistivity, and Hall effect of p-type Bi2—xSnxTe3 (0 ≤ x ≤ 0.030) single crystals have been measured in the temperature range 4.2 to 300 K. By doping Sn atoms into the host Bi2Te3 lattice, enhancements in the thermopower and resistivity are observed in the intermediate temperature range 30 to 150 K, and activation type behaviors are found in the resistivity versus temperature curves with an activation energy of the order of 10 meV which corresponds to the Sn-induced impurity band located above the second lower valence band. For our experimental results, we have also given a qualitative discussion about the scattering mechanism. Thermospannung, elektrischer Widerstand und Halleffekt von p-Bi2—xSnxTe3 (0 ≤ x ≤ 0,030) Kristallen werden bei Temperaturen von 4,2 bis 300 K gemessen. Die Dotierung mit Sn-Atomen in den Bi-Schichten von Bi2Te3 erhoht die Thermospannung und den Widerstand in einem mittleren Temperaturgebiet von 30 bis 150 K, und die Temperaturabhangigkeit des Hallkoeffizienten oder des Widerstands ergibt eine Aktivierungsenergie in der Grose von 10 meV, die dem Sn-induzierten Fremdband, das oberhalb des zweitniedrigsten Valenzbands liegt, entspricht. Fur diese experimentellen Ergebnisse geben wir eine qualitative Diskussion uber das Bandmodel und den Einflus der Sn-Dotierung auf die elektronischen Eigenschaften.