半導体装置、半導体装置の製造方法、および電気光学装置

【課題】キンク効果に起因して薄膜トランジスタの飽和動作領域にソース・ドレイン電流の変動がある場合でも、安定した出力を得ることができる半導体装置、半導体装置の製造方法、および電気光学装置を提供することにある。 【解決手段】薄型トランジスタ１０は、多結晶シリコン膜１ａを能動層としており、高濃度Ｎ型領域１ｃ、低濃度Ｎ型領域１ｄ、第１のチャネル領域１ｅおよび高濃度Ｎ型領域１ｇを備えた第１の薄膜トランジスタ部１０ａと、高濃度Ｎ型領域１ｇ、第２のチャネル領域１ｉ、低濃度Ｎ型領域１ｊおよび高濃度Ｎ型領域１ｋを備えた第２の薄膜トランジスタ部１０ｂとが直列接続されたマルチゲート構造を有している。ドレイン側の第１の薄膜トランジスタ部１０ａのチャネル長は０．５μｍ以上かつ１．５μｍ未満である。 【選択図】図５