Environnement electronique local de l'etain dans le systeme Sn0,571Bi0,286Se1-xTex (0 ≤ x ≤ 0,9)

Ce travail concerne la substitution des atomes de selenium par des atomes de tellure dans la phase cubique non stoechiometrique Sn 4 Bi 2 Se 7 . La substitution selenium -tellure a ete suivie par diffraction des rayons X sur poudre et spectrometrie Mossbauer de l'etain 119 dans le systeme Sn 0.571 Bi 0.286 Se 1-x Te x . La solubilite des atomes de tellure dans Sn 0.571 Bi 0.286 Se est tres faible, moins de 5% at. Te. Dans tout le domaine etudie, l'atome d'etain 119 Sn occupe un site octaedrique non distordu. Les valeurs du deplacement isomerique (3,50 a 3,40 mm/s) obtenues a la temperature ambiante, indiquent que l'atome d'etain est au degre d'oxydation II. Les resultats des analyses de diffraction des rayons X et de spectrometrie Mossbauer de l'etain 119 ont permis de faire une correlation entre la structure atomique et la structure electronique.