Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
Влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4H-SiC pin-диодов
Влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4H-SiC pin-диодов
2019
В.А. Добров
В. В. Козловский
А В Мещеряков
В. Г. Усыченко
А. С. Чернова
Е. И. Шабунина
Н.М. Шмидт
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]