Une technique de choix pour la croissance des oxydes maille par maille : l'ablation laser à très basse pression ou laser-MBE

Cet article presente une evolution importante de l'ablation laser classique permettant une croissance controlee maille par maille de films d'oxydes. Ce type de croissance est rendu possible par une diminution tres importante de la pression d'oxygene utilisee au cours du depot ce qui permet alors l'utilisation de techniques de controle in-situ. Cette diminution de la pression d'oxygene impose alors, pour obtenir une bonne oxydation du film prepare, l'utilisation d'un oxydant plus energique que l'oxygene moleculaire. Dans le svsteme presente dans cet article, notre choix s'est porte sur l'utilisation simultanee d'une source d'oxygene atomique fonctionnant en continu et d'une vanne pulsee d'oxygene moleculaire, synchronisee avec la frequence du laser. Le controle de la croissance du film au cours du depot est realise par la technique RHEED qui nous permet a la fois de verifier la continuite de la structure en cours de depot et, par l'intermediaire des oscillations d'intensite de la tache speculaire, de determiner le nombre de mailles deposees. Des essais preliminaires ont, en effet, montre que le depot d'une epaisseur correspondant au parametre cristallin du film le long de sa direction de croissance, se traduit par l'observation d'une periode d'oscillation de l'intensite de la tache speculaire. Ce dernier resultat est extremement important si on desire, pour la realisation de dispositifs, controler de maniere tres precise l'epaisseur des oxydes deposes ainsi que la rugosite des interfaces.