Procédé de fabrication de substrat semi-conducteur

L'invention concerne un procede de fabrication d'une tranche SiC ayant une couche de carbure de silicium monocristallin d'une rugosite de surface de 0,5 nm (moyenne quadratique) ou moins sans executer un traitement CMP. L'invention propose la solution suivante : une couche tampon 2 est formee sur la surface d'un substrat en silicium 1 (S1). Des ions carbone sont implantes a travers la couche tampon 2, et ainsi une couche contenant du carbone 3, dans laquelle du silicium et du carbone sont melanges, est formee dans le substrat en silicium 1 (S2). La couche tampon 2 est selectivement retiree du substrat en silicium 1 et ainsi la couche contenant du carbone 3 est exposee (S3). Le substrat en silicium 1 est traite thermiquement et la couche contenant du carbone 3 est monocristallisee et ainsi une couche de carbure de silicium monocristallin 4 est formee (S4). Une couche d'oxyde 5 qui est formee sur la surface de la couche de carbure de silicium monocristallin 4 au cours du traitement thermique est retiree et ainsi la couche de carbure de silicium monocristallin 4 est exposee (S5).