Procédé de formation d'un film en nitrure de silicium, procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur non volatile, dispositif de mémoire à semi-conducteur non volatile et appareil de traitement au plasma

L'invention se rapporte a un appareil de traitement au plasma (100) qui introduit des hyperfrequences dans une chambre (1) a l'aide d'une antenne plate (31) munie d'une pluralite d'orifices. Un gaz approprie, qui comprend un compose contenant de l'azote et un compose contenant du silicium, penetre dans ladite chambre (1) par l'intermediaire de l'appareil de traitement au plasma, et un plasma est genere par les hyperfrequences. Ensuite, un film de nitrure de silicium est depose par le plasma sur une surface d'un corps devant etre traite. La densite de pieges du film de nitrure de silicium est controlee en ajustant les conditions du procede CVD par plasma.