Verfahren zur Herstellung von Kontaktelementen von Halbleiterbauelementen

Verfahren mit: Bilden einer Kontaktoffnung (122) in dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial (121), das uber und benachbart zu einem Schaltungselement eines Halbleiterbauelements (100) ausgebildet ist; Bilden eines dielektrischen Materials einer Metallisierungsschicht (130) uber dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial (121) und der Kontaktoffnung (122); Bilden eines Grabens (132) einer Metallleitung der Metallisierungsschicht (130) in dem dielektrischen Material derart, dass dieser mit der Kontaktoffnung (122) in Verbindung steht; und Fullen der Kontaktoffnung (122) und des Grabens (132) mit einem leitenden Material durch Ausfuhren einer Abscheidesequenz gemeinsam fur die Kontaktoffnung (122) und den Graben (132), wobei Bilden des dielektrischen Materials umfasst: a) Abscheiden eines Atzstoppmaterials (133a) uber der Kontaktoffnung (122) derart, dass die Kontaktoffnung (122) im Wesentlichen verschlossen wird; b) Einebnen des Atzstoppmaterials (133a) vor dem Bilden des Grabens (132); und c) Bilden einer dielektrischen Schicht uber dem eingeebneten Atzstoppmaterial (133a); und wobei das Atzstoppmaterial (133a) beim Bilden...