The influence of silicon on the crystallographic phases of the niobium-gallium system studied by x-ray diffraction methods

The influence of silicon on the crystallographic phases of the binary niobium-gallium system is studied by X-ray diffraction methods. The samples were prepared by rapid quenching. Silicon substituted gallium in all phases of the binary system. It exists a complete pseudobinary solid solution Nb5Ga3-Nb5Si3. The maximum degree of substitution in the A 15 phase Nb3Ga1–xSix is x = 0.5. The presence of two A 15 phases with different cell parameters indicates the existence of a miscibility gap. Contrary to the expections the supercondusting transition temperatures decreases with an increasing degree of substitution. Mittels Rontgendiffraktometrie wird der Einflus des Siliziums auf die kristallografischen Phasen des binaren Systems Niob-Gallium untersucht. Die Herstellung der Proben erfolgte durch Schnellabschrecken. Silizium substituiert Gallium in allen Phasen des binaren Systems. Es existiert eine luckenlose pseudobinare Mischkristallreihe Nb5Ga3-Nb5Si3. Der maximale Substitutionsgrad in der A 15-Phase Nb3Ga1–xSix ist x = 0.5. Das Auftreten von zwei A 15 Phasen mit unterschiedlichen Gitterkonstanten weist auf die Existenz einer Mischungslucke hin. Entgegen den Erwartungen fallen die Sprungtemperaturen mit wachsendem Substitutionsgrad.