電子線又はeuvリソグラフィーに用いられるレジスト層用の保護膜形成用材料、積層体、およびレジストパターン形成方法

2004 
【課題】 電子線またはEUVリソグラフィーに用いられる化学増幅型レジスト層への環境影響を低減できる材料、積層体、およびレジストパターン形成方法を提供する。 【解決手段】 フッ素含有ポリマー(F)を有機溶剤に溶解してなる、電子線又はEUVリソグラフィーに用いられるレジスト層用の保護膜形成用材料。基板上に、基材成分(A)および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト層と、前記保護膜形成用材料からなる保護膜とが順に積層されてなる積層体。基板上にレジスト層を形成した後、該レジスト層上に前記保護膜形成用材料を用いて保護膜を形成し、該保護膜を介して前記レジスト層を電子線またはEUVにより選択的に露光し、PEB(露光後加熱)を施した後、前記保護膜を除去し、前記レジスト層を現像してレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法。 【選択図】 なし
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