1.0 V low voltage CMOS mixer based on voltage control load technique

互补金属氧化物半导体活跃混合器基于能在 1.0 V 供应电压操作的电压控制负担技术被建议，并且它的操作原则，噪音和线性分析也被介绍。与基于 RF 的常规 Gilbert 类型混合器相反当前变换，在这的负担阻抗建议混合器被 LO 信号控制，并且它在对低电压应用合适的每个分支有仅仅二只叠的晶体管。混合器为 2.4 个 GHz 主义乐队应用程序在 0.18 m 互补金属氧化物半导体过程被设计并且制作。与 2.44 GHz RF 信号和 2.442 GHz LO 信号的输入，建议混合器的测量说明是：变换获得(G C ) 是 5.3 dB，参考输入第三顺序拦截点(P IIP3 ) 是 4.6 dBm，参考输入 1 个 dB 压缩点(P 1dB ) 是 7.4 dBm，并且单个边带的噪音数字(N FSSB ) 是 21.7 dB。