Dispositif transistorisé de saisie d'image et son procédé de fabrication

Le dispositif transistorise de saisie d'image de l'invention, du type a eclairage par le dos, comprend une pluralite de pixels ayant chacun une partie de conversion electrique. Une region semi-conductrice de type p (110) dans laquelle des trous sont collectes est disposee sur le cote frontal du substrat (101) du dispositif de saisie. Une region semi-conductrice de type n (119) est disposee sous la region semi-conductrice de type p (110) au dos du substrat (101). La region semi-conductrice de type n (119) renferme de l'arsenic comme impurete principale, La partie de conversion photoelectrique comprend la region semi-conductrice de type p (110) et la region semi-conductrice de type n (119).