Elimination d'oxyde a faible temperature a l'aide de fluorine

La presente invention se rapporte a un procede et a un systeme de traitement de substrats, qui consiste : a introduire un substrat dans une chambre de traitement, une couche d'oxyde etant formee sur ledit substrat ; et a exposer le substrat a un gaz de gravure contenant un gaz F2 a une premiere temperature, afin d'eliminer la couche d'oxyde du substrat ; a chauffer ensuite eventuellement le substrat a une seconde temperature, superieure a la premiere temperature, puis a former un film sur le substrat a la seconde temperature. Dans un mode de realisation, un film de Si est forme de maniere epitaxiale sur un substrat de Si.