Camada epitaxial de INP : Zn Passivada por hidrogênio

Este trabalho e a primeira parte do projeto de construcao de sistemas de gas de eletrons ou buracos livres de baixa dimensionalidade em semicondutores utilizando a tecnica de passivacao por hidrogenio. Foi feito um estudo sistematizado da hidrogenacao em camadas epitaxiais de Inp:Zn. A introducao de hidrogenio foi feita pela exposicao da amostra em plasma de hidrogenio criado em um reator de placas paralelas. Foi realizado o trabalho detalhado para obtencao da melhor condicao de passivacao de Zn em InP .A caracterizacao das amostras hidrogenadas foi feita por C V - eletroquimico e fotoluminescencia em baixa temperatura. A reducao da concentracao de portadores livres, o coeficiente de difusao de H+ e outros resultados da hidrogenacao estao de acordo com os dados encontrados na literatura. Estendemos o trabalho tambem para o estudo de efeitos da passivacao de hidrogenio nos espectros oticos. As caracteristicas apresentadas pela recombinacao doador-aceitador envolvendo o doador Zn intersticial sugerem que as camadas epitaxiais de Inp:Zn apresentam forte modulacao no perfil de potencial. Esta modulacao e atribuida anao homogeneidade da distribuicao de impurezas e a compensacao do material devido a presenca do doador profundo Zn. Os dados de PL obtidos para amostras apos a passivacao nao sao compativeis com o modelo padrao da recombinacao doador-aceitador. Os resultados experimentais tambem sugerem que o Zn intersticial e passivado e ainda que o valor estimado para a energia de ligacao do estado doador profundo e da ordem de 20 meV Abstract